随机读 600K IOPS；随机写 600K IOPS 顺序读 3.5GB/s；顺序写 3.0GB/s 读延迟 75us；写延迟 15us
通过固件升级支持NVMe协议演进 通过微码升级支持未来的NAND闪存
多核同构架构 大于64GB的数据寻址空间
工作功耗 < 2.5w L1.2 < 2mw
支持NVMe 1.3版本
支持PCIe Gen1，Gen2和Gen3
支持PCIe 1通道，2通道和4通道
支持PCIe单根虚拟化（SR-IOV），最大支持16个虚拟功能
支持L1活动电源管理状态
支持L1子状态
支持MSI和MSI-x中断类型
支持DDR3/DDR3L/DDR4/LPDDR3
32位内存接口，支持in-line ECC
支持最大2 ranks
支持TCG-opal 2.0
硬件真随机数和SHA256
安全启动
支持XTS-AES256加密
支持RAID5/RAID6
SECDED保护所有片内RAM
全通路数据保护
高性能XOR引擎
支持8个闪存通道，每个通道支持16个LUN
支持1.2v/1.8v闪存I/O
支持ONFI 4.0/Toggle 3.0接口， 最大800MT/s
微码架构，灵活支持2D/3D SLC, MLC和TLC
支持1-plane，2-plane和4-plane操作
Inline 扰码器/解扰码器
支持写入/擦除挂起
多个命令队列和每个LUN的QoS
支持大范围code rate, 0.65~0.94
支持4个软信息位
多核同构
片内温度传感器
JTAG/SMBUS 调试接口
256Kbyte片内SRAM
支持NVME 管理接口
交钥匙解决方案，包括ASIC/SDK/FW, 开发套件和测试板。
京公网安备 11010802038911号